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一种饱和功率为21dBm,峰值效率为35%的应用于900MHz RFID阅读器的CMOS线性功率放大器
引用本文:韩科锋,曹圣国,谈熙,闫娜,王俊宇,唐长文,闵昊.一种饱和功率为21dBm,峰值效率为35%的应用于900MHz RFID阅读器的CMOS线性功率放大器[J].半导体学报,2010,31(12):125005-7.
作者姓名:韩科锋  曹圣国  谈熙  闫娜  王俊宇  唐长文  闵昊
基金项目:Project supported by the Ministry of Science & Technology of China (No. 2008BAI55B07).
摘    要:本文在CMOS 0.18μm Mixed Signal工艺上实现了工作于900MHz的两级差分线性功率放大器,该功放工作于class AB状态。本文探讨了低压下输出匹配和谐波抑制网络,以提高功放的输出功率及效率,降低输出谐波。测试结果表明,在1.8V的电源电压下,功放在900MHz频率的输出饱和功率达到21.1dBm,输出1dB压缩点的功率为18.4dBm,峰值功率增加效率为35.4%,功率增益为23.3dB,各谐波分量也得到很好的控制。两级功放加上PAD的芯片总面积为1.2×0.55mm2。通过单芯片测试以及基于原型机的测试结果表明,该功放可以满足UHF RFID阅读器的应用。

关 键 词:线性功率放大器  CMOS技术  RFID  PAE  dBm  阅读器  高输出功率  设计规格
收稿时间:4/21/2010 4:35:38 PM
修稿时间:7/25/2010 3:01:45 PM

A 900 MHz, 21 dBm CMOS linear power amplifier with 35% PAE for RFID readers
Han Kefeng,Cao Shengguo,Tan Xi,Yan N,Wang Junyu,Tang Zhangwen and Min Hao.A 900 MHz, 21 dBm CMOS linear power amplifier with 35% PAE for RFID readers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2010,31(12):125005-7.
Authors:Han Kefeng  Cao Shengguo  Tan Xi  Yan N  Wang Junyu  Tang Zhangwen and Min Hao
Affiliation:State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China
Abstract:
Keywords:CMOS  power amplifier  PAE  power matching  RFID  reader
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