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一种新颖的4bit和5bit超宽带GaAs单片数字衰减器
引用本文:王会智,沈亚,蒋幼泉,李拂晓,张斌.一种新颖的4bit和5bit超宽带GaAs单片数字衰减器[J].半导体学报,2005,26(3):585-589.
作者姓名:王会智  沈亚  蒋幼泉  李拂晓  张斌
作者单位:南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:介绍了一种新颖的DC~20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果.该衰减器的设计采用纵向思维的方法.最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC~20GHz频带内,插入损耗≤3.5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0.2dB,衰减精度≤±0.3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1.6,相对于参考态,衰减态的插入相移在-10°~5°以内,芯片尺寸1.8mm×1.6mm×0.1mm.5bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC~20GHz频带内,插入损耗≤3.8dB,最大衰减量15.5dB,衰减步进0.5dB,衰减平坦度≤0.3dB,衰减精度≤±0.4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-14°~2°以内,芯片尺寸2.0mm×1.6mm×0.1mm.

关 键 词:超宽带  数字衰减器  MMIC  高性能
文章编号:0253-4177(2005)03-0585-05
修稿时间:2004年4月18日

A Novel Ultra-Broad Band 4bit and 5bit MMIC Digital Attenuator
Wang Huizhi,Shen Ya,Jiang Youquan,Li Fuxiao,Zhang Bin.A Novel Ultra-Broad Band 4bit and 5bit MMIC Digital Attenuator[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):585-589.
Authors:Wang Huizhi  Shen Ya  Jiang Youquan  Li Fuxiao  Zhang Bin
Abstract:
Keywords:ultra-broad band  digital attenuator  MMIC  high performance
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