| YAG激光晶化多晶硅 |
| |
| 引用本文： | 刘建平,王海文,李娟,张德坤,赵淑云,吴春亚,熊绍珍,张丽珠.YAG激光晶化多晶硅[J].半导体学报,2005,26(8):1572-1576. |
| |
| 作者姓名： | 刘建平 王海文 李娟 张德坤 赵淑云 吴春亚 熊绍珍 张丽珠 |
| |
| 作者单位： | 南开大学光电子所，天津市薄膜光电子器件与技术重点实验室，南开大学光电子所，天津市薄膜光电子器件与技术重点实验室，南开大学光电子所，天津市薄膜光电子器件与技术重点实验室，南开大学光电子所，天津市薄膜光电子器件与技术重点实验室，南开大学光电子所，天津市薄膜光电子器件与技术重点实验室，南开大学光电子所，天津市薄膜光电子器件与技术重点实验室，南开大学光电子所，天津市薄膜光电子器件与技术重点实验室，天津机电职业技术学院 天津300071，天津300071，天津300071，天津300071，天津300071，天津300071，天津300071，天津300131 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
,
国家自然科学基金
,
天津市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果，其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜（如非晶硅和微晶硅）为晶化前驱物，以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究．实验发现，晶化需要基本的阈值能量流密度，而晶化硅基前驱物材料的结构，是决定此阈值的关键．延迟降温速率对激光晶化是一种较为有效的手段，并对所得的初步结果进行了讨论．
|
| 关 键 词： | YAG脉冲激光 激光晶化 微晶硅 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）08-1572-05 |
| 收稿时间： | 2004-12-27 |
| 修稿时间： | 2005-02-28 |
Using a YAG Laser to Make Poly-Silicon |
| |
| Liu Jianping,Wang Haiwen,Li Juan,Zhang Dekun,ZHAO Shuyun,Wu Chunya,Xiong Shaozhen,Zhang Lizhu.Using a YAG Laser to Make Poly-Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8):1572-1576. |
| |
| Authors: | Liu Jianping Wang Haiwen Li Juan Zhang Dekun ZHAO Shuyun Wu Chunya Xiong Shaozhen Zhang Lizhu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
