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Modeling of electronic stopping and damage accumulation during arsenic implantation in silicon |
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| Authors: | A. Simionescu S. Herzog G. Hobler R. Schork J. Lorenz C. Tian G. Stingeder |
| Affiliation: | a Institut für Festkörperelektronik, University of Technology Vienna, Gußhausstraße 27-29/E362, A-1040, Vienna, Austria b Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen, Bereich Bauelementetechnologie, Schottkystraße 10, D-91 058, Erlangen, Germany c Institut für Analytische Chemie, University of Technology Vienna Getreidemarkt 9/151, A-1060, Vienna, Austria |
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