| 室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵 |
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| 引用本文： | 林世鸣,康学军,高俊华,高洪海,王启明,王红杰,王立轩,张春晖.室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵[J].高技术通讯,1996,6(5):48-50. |
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| 作者姓名： | 林世鸣 康学军 高俊华 高洪海 王启明 王红杰 王立轩 张春晖 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射 激光器 氧化法 砷化镓 AlGaAs |
Room Temperature CW GaAs/AlGaAs Vertical-Cavity Surface-emitting Semiconductor Lasers 2-D Arrays |
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| Lin Shiming, Kang Xuejun, Gao Junhua, Gao Honghai,Wang Qingming, Wang Hongjie, Wang Lixuan, Zhang Chunhui.Room Temperature CW GaAs/AlGaAs Vertical-Cavity Surface-emitting Semiconductor Lasers 2-D Arrays[J].High Technology Letters,1996,6(5):48-50. |
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| Authors: | Lin Shiming Kang Xuejun Gao Junhua Gao Honghai Wang Qingming Wang Hongjie Wang Lixuan Zhang Chunhui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Oxidation Molecular beam epituxy |
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