| 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究 |
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| 引用本文： | 张波,陈静,魏星,武爱民,薛忠营,罗杰馨,王曦,张苗.图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究[J].功能材料,2010,41(7). |
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| 作者姓名： | 张波 陈静 魏星 武爱民 薛忠营 罗杰馨 王曦 张苗 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049
2. 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目，上海市政府半导体照明基金资助项目，上海市科学技术发展基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低。
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| 关 键 词： | 氮化镓 绝缘体上硅 侧向外延 |
Fabrication of GaN on patterned silicon-on-insulator by epitaxial lateral overgrowth |
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| ZHANG Bo,CHEN Jing,WEI Xing,WU Ai-min,XUE Zhong-ying,LUO Jie-xin,WANG Xi,ZHANG Miao.Fabrication of GaN on patterned silicon-on-insulator by epitaxial lateral overgrowth[J].Journal of Functional Materials,2010,41(7). |
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| Authors: | ZHANG Bo CHEN Jing WEI Xing WU Ai-min XUE Zhong-ying LUO Jie-xin WANG Xi ZHANG Miao |
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