| GaN基HEMT器件的优化设计北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 冯嘉鹏,赵红东,孙渤,段磊,郭正泽,陈洁萌,姚奕洋.GaN基HEMT器件的优化设计北大核心CSCD[J].半导体技术,2014(11):817-821. |
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| 作者姓名： | 冯嘉鹏 赵红东 孙渤 段磊 郭正泽 陈洁萌 姚奕洋 |
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| 作者单位： | 1.河北工业大学信息工程学院电子材料与器件天津市重点实验室300401;2.中国电子科技集团公司第十三研究所050000; |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目(F2013202256) |
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| 摘 要： | 针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。
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| 关 键 词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件参数 性能 场板 自热效应 |
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