| 0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计 |
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| 作者姓名： | 朱科翰 于宗光 董树荣 韩雁 |
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| 作者单位： | 江南大学信息学院,无锡,214000;中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035;浙江大学信息与电子工程学系ESD实验室,杭州,310027;江南大学信息学院,无锡,214000;中国电子科技集团第58研究所,无锡,214035;浙江大学信息与电子工程学系ESD实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基金(NO.BK2007026) 浙江省自然科学基金(NO. Y107055) |
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| 摘 要： | 提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流（~pA）和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.
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| 关 键 词： | 静电放电 双向SCR 骤回 |
| 收稿时间： | 2008-04-05 |
| 修稿时间： | 2008-07-24 |
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