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| 氧在GaP(■■■)表面上的吸附特性 | |
| 引用本文： | 邢益荣,W.Ranke.氧在GaP(■■■)表面上的吸附特性[J].半导体学报,1986(4). |
| 作者姓名： | 邢益荣 W.Ranke |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (邢益荣)，西德马普学会Fritz-Haber研究所(W.Ranke) |
| 摘 要： | 利用单色的HeII(40.8eV)光电子谱研究了氧在GaP(111)表面上的化学吸附特征.实验表明,在室温下被吸附的氧存在两种形态:α氧和β氧。α氧在价带中的两个光电子峰分别低于价带顶6.0和10.0eV; β氧在价带顶下5.2eV处有一个主峰和在8—9eV处有一个肩峰,它对应于离解态的氧与表面原子的键合.β氧引起Ga3d能级的化学位移为0.8±0.1eV,而α氧不引起位移.在～250℃下退火,大部分的α氧脱附,并有小部分转变为β氧,后者在～550℃时脱附.所有这些结果都与氧在GaAs表面上的吸附特性类似. |
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