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| 基于OES的等离子体刻蚀过程 | |
| 引用本文： | 王巍,王玉青,孙江宏,兰中文,龚云贵.基于OES的等离子体刻蚀过程[J].红外与激光工程,2008,37(4). |
| 作者姓名： | 王巍 王玉青 孙江宏 兰中文 龚云贵 |
| 作者单位： | 1. 重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065 2. 北京信息科技大学机电工程学院,北京,100192 3. 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，重庆邮电大学校基金 |
| 摘 要： | 光学发射光谱(OES)诊断技术是高密度等离子体刻蚀工艺过程的关键技术,OES信号作为一种实时信号可以用来预测刻蚀过程的进展程度和判断刻蚀性能的好坏.在自行研发的等离子体刻蚀机平台上,采用美国海洋公司的OES传感器系统,采集多晶硅刻蚀工艺中所产生的OES信号,利用主元素分析法(PCA)对OES数据进行压缩处理,提高了实时信号的快速处理能力.对实验数据的分析表明:波长为405 mn的OES谱线可以明确显示出等离子体刻蚀进程,是一条表征等离子体刻蚀过程的状态检测及终点检测控制的特征谱线.在此基础之上,提出了基于PCA法的终点检测算法,用以判断刻蚀终点. |
| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 终点检测 |
Plasma etching process based on OES |
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| WANG Wei,WANG Yu-qing,SUN Jiang-hong,LAN Zhong-wen,GONG Yun-gui.Plasma etching process based on OES[J].Infrared and Laser Engineering,2008,37(4). | |
| Authors: | WANG Wei WANG Yu-qing SUN Jiang-hong LAN Zhong-wen GONG Yun-gui |
| Abstract: | |
| Keywords: | OES PCA |
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