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| 利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征 | |
| 作者姓名： | 何巍 陆书龙 杨辉 |
| 作者单位： | 中国人民武装警察部队学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176128) |
| 摘 要： | 利用全固态分子束外延(MBE)方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射(RHEED)、高分辨X射线衍射(XRD),原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温GaAs成核层呈现层状生长模式.同时降低生长温度和生长速率会使GaAs薄膜的XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)减小,并降低外延层表面的粗糙度,这主要是由于衬底和外延薄膜之间的晶格失配度减小的结果. |
| 关 键 词： | 分子束外延（MBE） GaAs/Ge 异质外延 |
| 收稿时间： | 2015-10-17 |
| 修稿时间： | 2015-10-28 |
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