| 大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究 |
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| 引用本文： | 李忠辉,高欣,李梅,王玲,张兴德.大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究[J].固体电子学研究与进展,2003,23(1):11-13. |
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| 作者姓名： | 李忠辉 高欣 李梅 王玲 张兴德 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院高功率半导体激光重点实验室,130022 |
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| 摘 要： | 介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。
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| 关 键 词： | 分别限制异质结构 单量子阱 无铝激光器 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)01-011-03 |
| 修稿时间： | 2001年1月15日 |
Study on High Power InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW Lasers |
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| LI Zhonghui,GAO Xin,LI Mei,WANG Ling,ZHANG Xingde.Study on High Power InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW Lasers[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(1):11-13. |
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| Authors: | LI Zhonghui GAO Xin LI Mei WANG Ling ZHANG Xingde |
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| Abstract: | InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW lasers have been prepared by LP-MOVPE. The dependence of characteristics temperature ( T 0) on cavity length ( L) was discussed. The laser with 100 μm line width and 1 mm cavity length has output power of 1.2 W, threshold current density ( J th ) of 410 A/cm 2 and external differential efficiency ( η d) of 62% at laser wavelength of 808 nm. The experiments on the reliability were also carried out. |
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| Keywords: | SCH SQW Al-free semiconductor laser |
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