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| 用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入 | |
| 引用本文： | 苏九令,包宗明,王昌平,陆桂华,倪玫,陈肯,杨中柱,黄正义,吴树恩.用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入[J].半导体学报,1985,6(2):195-198. |
| 作者姓名： | 苏九令 包宗明 王昌平 陆桂华 倪玫 陈肯 杨中柱 黄正义 吴树恩 |
| 摘 要： | 本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~+离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退火后进行离子注入的样品,其剂量低到 5×10~(11)cm~(-2)的离子注入效应也能被检测到.在1×10~(12)-5 × 10~(13)cm~(-2)低剂量范围内,光声信号明显地随注入剂量而增加.因此,光声谱法是研究离子注入造成的晶格损伤的有效手段,有希望发展成为硅中离子注入剂量的无接触、快速、非破坏性的测量方法. |
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