| BSIM Model Research and Recent Progress |
| |
| 作者姓名： | He Jin Chan Mansun Xi Xuemei Wan Hui Pin Su Ali Niknej Hu Chenming |
| |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究院,北京 100871;美国Berkeley加州大学电气和计算机科学工程系,加州 94720，美国;香港科技大学电子和电气工程系,香港;美国Berkeley加州大学电气和计算机科学工程系,加州 94720，美国;美国Berkeley加州大学电气和计算机科学工程系,加州 94720，美国;美国Berkeley加州大学电气和计算机科学工程系,加州 94720，美国;北京大学微电子学研究院,北京 100871;北京大学微电子学研究院,北京 100871;美国Berkeley加州大学电气和计算机科学工程系,加州 94720，美国 |
| |
| 基金项目： | SRC基金
,
新世纪优秀人才支持计划 |
| |
| 摘 要： | CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSIM团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSIM进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSIM工程的研究和进展情况,包括BSIM5的研究,BSIM4的增强和BSIMSOI的发展.BSIM5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSIM4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求.BSIMSOI已经发展成可应用于SOI-PD和SOI-FD技术的普适模型,通过有效体电势△Vbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.
|
| 关 键 词： | 集约模型 BSIM5 BSIM4 BSIMSOI器件物理 MOSFET compact modeling BSIM5 BSIM4 BSIMSOI device physics MOSFETs BSIM 模型 研究 Progress Recent circuit trend coexistence devices charge current calculation body potential operation generic model choice framework industrial standard |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)03-0388-09 |
| 收稿时间： | 11 20 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年11月20日 |
BSIM Model Research and Recent Progress |
| |
| He Jin,Chan Mansun,Xi Xuemei,Wan Hui,Pin Su,Ali Niknej,Hu Chenming.BSIM Model Research and Recent Progress[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(3):388-396. |
| |
| Authors: | He Jin Chan Mansun Xi Xuemei Wan Hui Pin Su Ali Niknejad and Hu Chenming |
| |
| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Department of Electrical Engineering and Computer Sciences,University of California,Berkeley, CA 94720,USA;Department of Electrical & Electronic Engineering,Hong Kong University of Science & Technology,Hong Kong,China;Department of Electrical Engineering and Computer Sciences,University of California,Berkeley, CA 94720,USA;Department of Electrical Engineering and Computer Sciences,University of California,Berkeley, CA 94720,USA;Department of Electrical Engineering and Computer Sciences,University of California,Berkeley, CA 94720,USA;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Department of Electrical Engineering and Computer Sciences,University of California,Berkeley, CA 94720,USA |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | compact modeling BSIM5 BSIM4 BSIMSOI device physics MOSFETs |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
