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| 直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱 | |
| 作者姓名： | 叶志镇 陈汉鸿 刘榕 张昊翔 赵炳辉 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683-06; |
| 摘 要： | 用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 . |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 磁控溅射 光致发光光谱 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-1015-04 |
| 修稿时间： | 2000-07-28 |
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