| 基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC |
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| 引用本文： | 李献杰,赵永林,蔡道民,曾庆明,蒲运章,郭亚娜,王志功,王蓉,齐鸣,陈晓杰,徐安怀.基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC[J].半导体学报,2007,28(Z1):520-524. |
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| 作者姓名： | 李献杰 赵永林 蔡道民 曾庆明 蒲运章 郭亚娜 王志功 王蓉 齐鸣 陈晓杰 徐安怀 |
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| 作者单位： | 李献杰（中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051）;赵永林（中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051）;蔡道民（中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051）;曾庆明（中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051）;蒲运章（中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051）;郭亚娜（中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051）;王志功（东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096）;王蓉（东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096）;齐鸣（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050）;陈晓杰（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050）;徐安怀（中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050） |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点实验室基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.
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| 关 键 词： | InP InGaAs HBT PIN 光接收 OEIC |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0520-05 |
| 修稿时间： | 2006年12月10 |
Monolithically Integrated Long Wavelength Photoreceiver OEIC Based on InP/InGaAs HBT Technology |
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| Li Xianjie,Zhao Yonglin,Cai Daomin,Zeng Qingming,Pu Yunzhang,Guo Yana,Wang Zhigong,Wang Rong,Qi Ming,Chen Xiaojie,Xu Anhuai.Monolithically Integrated Long Wavelength Photoreceiver OEIC Based on InP/InGaAs HBT Technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):520-524. |
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| Authors: | Li Xianjie Zhao Yonglin Cai Daomin Zeng Qingming Pu Yunzhang Guo Yana Wang Zhigong Wang Rong Qi Ming Chen Xiaojie Xu Anhuai |
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