| 大功率氮化镓基LED关键技术研究 |
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| 引用本文： | 马龙,伊晓燕,郭金霞,王良臣,王国宏,李晋闽.大功率氮化镓基LED关键技术研究[J].半导体学报,2005,26(z1):165-169. |
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| 作者姓名： | 马龙 伊晓燕 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,p电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
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| 关 键 词： | 功率 氮化镓 发光二极管 倒装焊 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0165-05 |
| 修稿时间： | 2004年11月12日 |
Research on Key Technologies of High Power GaN-Based LED |
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| Ma Long,Yi Xiaoyan,Guo Jinxia,Wang Liangchen,Wang Guohong,Li Jinmin.Research on Key Technologies of High Power GaN-Based LED[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):165-169. |
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| Authors: | Ma Long Yi Xiaoyan Guo Jinxia Wang Liangchen Wang Guohong Li Jinmin |
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