| 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器 |
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| 引用本文： | 胡光,张凯,叶芸,吴雯,刘婵,顾豪爽.基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器[J].半导体学报,2007,28(Z1):591-594. |
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| 作者姓名： | 胡光 张凯 叶芸 吴雯 刘婵 顾豪爽 |
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| 作者单位： | 胡光（湖北大学物理学与电子技术学院,湖北省铁电压电材料与器件重点实验室,武汉,430062）;张凯（湖北大学物理学与电子技术学院,湖北省铁电压电材料与器件重点实验室,武汉,430062）;叶芸（湖北大学物理学与电子技术学院,湖北省铁电压电材料与器件重点实验室,武汉,430062）;吴雯（湖北大学物理学与电子技术学院,湖北省铁电压电材料与器件重点实验室,武汉,430062）;刘婵（湖北大学物理学与电子技术学院,湖北省铁电压电材料与器件重点实验室,武汉,430062）;顾豪爽（湖北大学物理学与电子技术学院,湖北省铁电压电材料与器件重点实验室,武汉,430062） |
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| 基金项目： | 湖北省武汉市科技攻关项目
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得的空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数为3.75%,串、并联品质因数分别为101.8和79.7.
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| 关 键 词： | 薄膜体声波谐振器 氮化铝 择优取向 空腔 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0591-04 |
| 修稿时间： | 2006年12月28 |
Film Bulk Acoustic Resonator Based on AlN Piezoelectric Cell |
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| Hu Guang,Zhang Kai,Ye Yun,Wu Wen,Liu Chan,Gu Haoshuang.Film Bulk Acoustic Resonator Based on AlN Piezoelectric Cell[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):591-594. |
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| Authors: | Hu Guang Zhang Kai Ye Yun Wu Wen Liu Chan Gu Haoshuang |
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