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| 极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究 | |
| 引用本文： | 朱红卫,史常忻,陈益新,李同宁.极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究[J].半导体学报,1997,18(1):22-26. |
| 作者姓名： | 朱红卫 史常忻 陈益新 李同宁 |
| 作者单位： | [1]上海交通大学微电子技术研究所 [2]武汉电信器件公司 |
| 摘 要： | 本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法． |
| 关 键 词： | 光电探测器 双重势垒增强层 设计 |
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