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| 多孔硅室温光致发光研究 | |
| 引用本文： | 柳承恩,郑祥钦,阎峰,鲍希茂.多孔硅室温光致发光研究[J].半导体学报,1993,14(9):585-587. |
| 作者姓名： | 柳承恩 郑祥钦 阎峰 鲍希茂 |
| 作者单位： | 南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系，南京大学物理系 南京 210008，南京 210008，南京 210008，南京 210008 |
| 摘 要： | 采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰位置“蓝移”约40nm;文中给出了发光膜的平面透射电镜形貌和电子衍射照片。“蓝移”和电镜照片的结果能用量子尺寸效应说明。文中还给出了喇曼谱仪上测得的光致发光谱和多孔硅的喇曼位移峰。 |
| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 室温 制备 |
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