| N型GaN的持续光电导 |
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| 引用本文： | 汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度,陆大成,王占国.N型GaN的持续光电导[J].半导体学报,1999,20(5):371-377. |
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| 作者姓名： | 汪连山 刘祥林 岳国珍 王晓晖 汪度 陆大成 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料科学实验室，中国科学院半导体研究所表面物理实验室 |
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| 摘 要： | 本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明，未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷，这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比，样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加，提高了ＧａＮ中黄光发射，使持续光电导衰变减慢，但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特
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| 关 键 词： | 氮化镓 N型 持续光电导 MOVPE |
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