| 高性能42nm栅长CMOS器件 |
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| 引用本文： | 徐秋霞,钱鹤,韩郑生,刘明,侯瑞兵,陈宝钦,蒋浩杰,赵玉印,吴德馨.高性能42nm栅长CMOS器件[J].半导体学报,2003,24(z1):153-160. |
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| 作者姓名： | 徐秋霞 钱鹤 韩郑生 刘明 侯瑞兵 陈宝钦 蒋浩杰 赵玉印 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G2000036504; |
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| 摘 要： | 研究了20～50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流Ion分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流Ioff分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps.
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| 关 键 词： | 42nm栅长 CMOS器件 超陡倒掺杂 灰化工艺 高选择比 高各向异性 Co/Ti自对准硅化物 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)0-0153-08 |
| 修稿时间： | 2002年9月16日 |
High Performance 42nm Gate Length CMOS Device |
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