| 超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺 |
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| 引用本文： | 卜俊鹏,郑红军,赵冀,朱蓉辉,尹玉华.超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺[J].半导体学报,2003,24(4):445-448. |
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| 作者姓名： | 卜俊鹏 郑红军 赵冀 朱蓉辉 尹玉华 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083
(卜俊鹏，郑红军，赵冀，朱蓉辉)，中国科学院半导体研究所 北京100083(尹玉华) |
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| 摘 要： | 在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 ,并分析和讨论了其原因
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| 关 键 词： | GaAs 抛光 亚表面损伤层 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)04-0445-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月16日 |
Polishing of Super-Low Sub-Surface Damage of GaAs Wafer |
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| Abstract: | Many experiments of chemical mechanic polishing are done by means of different compressibility pad,polishing slurry with different oxidant concentration,and different pH value.After polishing,the sub surface damage of wafer is measured by TEM.It is found that the depth of sub surface damage is determined by compressibility of pad,oxidant concentration and pH value of slurry. |
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| Keywords: | GaAs polishing sub surface damage |
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