| InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现 |
| |
| 引用本文： | 李献杰,蔡道民,赵永林,王全树,周州,曾庆明.InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现[J].半导体学报,2005,26(z1):136-139. |
| |
| 作者姓名： | 李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
|
| 关 键 词： | InP SHBT 自对准工艺 湿法腐蚀 InGaAs 器件 自对准结构 结构设计 工艺制作 Process Design 频率特性 效果 间距 比较 改进 自对准工艺 发射极 基极 利用 特性实验 湿法腐蚀 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0136-04 |
| 修稿时间： | 2004年11月12日 |
Design and Process for Self-Aligned InP/InGaAs SHBT Structure |
| |
| Li Xianjie,Cai Daomin,Zhao Yonglin,Wang Quanshu,Zhou Zhou,Zeng Qingming.Design and Process for Self-Aligned InP/InGaAs SHBT Structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):136-139. |
| |
| Authors: | Li Xianjie Cai Daomin Zhao Yonglin Wang Quanshu Zhou Zhou Zeng Qingming |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
