| GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs |
| |
| 引用本文： | 李海鸥,张海英,尹军舰,叶甜春.GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs[J].半导体学报,2005,26(12):2281-2285. |
| |
| 作者姓名： | 李海鸥 张海英 尹军舰 叶甜春 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60276021）和国家重点基础研究发展规划（批准号：G2002CB311901）资助项目. |
| |
| 摘 要： | 提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.
|
| 关 键 词： | 赝配高电子迁移率晶体管 增强型 耗尽型 阈值电压 GaAs |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）12-2281-05 |
| 收稿时间： | 2005-06-16 |
| 修稿时间： | 2005年6月16日 |
Monolithic Integration of InGaP/AIGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode PHEMTs |
| |
| Li Haiou,Zhang Haiying,Yin Junjian,Ye Tianchun.Monolithic Integration of InGaP/AIGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode PHEMTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(12):2281-2285. |
| |
| Authors: | Li Haiou Zhang Haiying Yin Junjian Ye Tianchun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | pseudomorphic high electron mobility transistors enhancement-mode depletion-mode threshold voltage GaAs |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
