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| GaAs／AIGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究 | |
| 引用本文： | 杨斌,陈涌海,等.GaAs／AIGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究[J].半导体学报,1995,16(4):248-252. |
| 作者姓名： | 杨斌 陈涌海 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京10 [2]中国科学院半导体研究所半导体 |
| 摘 要： | 本文采用三角阱近似，计算了GaAs/AIGaAs二维电子气（2DEG）电子只占据基态子带时，由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质、合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质沈度、以及界面不平整度等的关系.理论计算结果与实验符合很好，就作者所知考虑上述七种散射机制计算2DEG电子迁移率的工作，以前未见报道。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 砷化镓铝 二维电子气 散射 |
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