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MOS模拟集成电路的噪声分析和低噪声设计
引用本文:王国裕,南德恒.MOS模拟集成电路的噪声分析和低噪声设计[J].半导体学报,1986,7(1):24-32.
作者姓名:王国裕  南德恒
作者单位:南京工学院电子研究所 (王国裕),清华大学微电子学研究所(南德恒)
摘    要:本文论述了MOS器件的噪声和电路噪声的分析方法,提出了MOS模拟集成电路的低噪声设计原则.对开关电容网络中的1/f噪声和抽样过程所产生的混叠噪声作了较详细的说明,并以MOS运算放大器单元电路、开关电容积分电路为例作了噪声分析与低噪声设计.最后介绍了实验单元电路及其实测结果.

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