| 1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源 |
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| 引用本文： | 秦波,贾晨,陈志良,陈弘毅. 1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源[J]. 半导体学报, 2006, 27(11): 2035-2039 |
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| 作者姓名： | 秦波 贾晨 陈志良 陈弘毅 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(OPA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15～100℃变化时,输出电压在351.5～352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm2.
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| 关 键 词： | 非线性补偿 低电压基准源 高温度稳定性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)11-2035-05 |
| 收稿时间： | 2006-04-24 |
| 修稿时间： | 2006-05-16 |
A 1V MNC Bandgap Reference with High Temperature Stability |
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| Qin Bo,Jia Chen,Chen Zhiliang and Chen Hongyi. A 1V MNC Bandgap Reference with High Temperature Stability[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(11): 2035-2039 |
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| Authors: | Qin Bo Jia Chen Chen Zhiliang Chen Hongyi |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nonlinear correction low voltage reference high-temperature stability |
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