| S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate |
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| 作者姓名： | Cai Shujun Pan Hongshu Chen Hao Li Liang Zhao Zhenping |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所，石家庄 050051;河北半导体研究所，石家庄 050051;河北半导体研究所，石家庄 050051;河北半导体研究所，石家庄 050051;河北半导体研究所，石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W.
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| 关 键 词： | 碳化硅 微波 功率 MESFET MESFET SiC buffer layer 半绝缘 波段 碳化硅 SiC MESFET Substrate Output Power gate width output devices coupled plasma etching conventional tools Ohmic contact doped buffer layer thickness doping |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)02-0266-04 |
| 收稿时间： | 10 31 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005年10月31日 |
S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate |
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| Cai Shujun,Pan Hongshu,Chen Hao,Li Liang,Zhao Zhenping.S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(2):266-269. |
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| Authors: | Cai Shujun Pan Hongshu Chen Hao Li Liang and Zhao Zhenping |
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| Affiliation: | Hebei Semiconductor Research Institute,Shijiazhuang 050051,China;Hebei Semiconductor Research Institute,Shijiazhuang 050051,China;Hebei Semiconductor Research Institute,Shijiazhuang 050051,China;Hebei Semiconductor Research Institute,Shijiazhuang 050051,China;Hebei Semiconductor Research Institute,Shijiazhuang 050051,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MESFET SiC buffer layer |
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