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计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型
引用本文:张鸿欣.计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型[J].半导体学报,2000,21(3):286-289.
作者姓名:张鸿欣
作者单位:西安电子科技大学CAD所!西安710071
基金项目:陕西省自然科学基金;;
摘    要:提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次单元 )的上表面温度 ,作为该层次单元下表面的边界条件 ,而把它上表面上的层次单元 (子层次单元 )的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源 .通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值 .提出的层次单元间的耦合强度 (即每轮计算中 ,母层次单元上表面的温度改变不是全部 ,而是部分用于

关 键 词:层次模型    热场计算    多芯片多基片模块
文章编号:0253-4177(2000)03-0286-04
修稿时间:1998年11月13日

Multilevel Model of Steady Thermal Simulation for Module Having Multichip and Multisubstrate
ZHANG Hong\|xin.Multilevel Model of Steady Thermal Simulation for Module Having Multichip and Multisubstrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(3):286-289.
Authors:ZHANG Hong\|xin
Abstract:
Keywords:Multilevel Model  Thermal Field Simulation  Module Having Multichip and Multisubstrate
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