| 适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器 |
| |
| 引用本文： | 赵涤燹,闫娜,徐雯,杨立吾,王俊宇,闵昊.适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器[J].半导体学报,2008,29(1):99-104. |
| |
| 作者姓名： | 赵涤燹 闫娜 徐雯 杨立吾 王俊宇 闵昊 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 201203;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司设计服务处，上海 201203;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司设计服务处，上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 201203 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.
|
| 关 键 词： | 射频识别 单栅 非挥发性存储器 标准CMOS工艺 敏感放大器 低功耗 RFID single-poly non-volatile memory standard CMOS process sense amplifier low power |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）01-0099-06 |
| 收稿时间： | 7/3/2007 9:46:09 PM |
| 修稿时间： | 8/24/2007 4:10:30 PM |
A Low-Power,Single-Poly,Non-Volatile Memory for Passive RFID Tags |
| |
| Zhao Dixian,Yan N,Xu Wen,Yang Liwu,Wang Junyu and Min Hao.A Low-Power,Single-Poly,Non-Volatile Memory for Passive RFID Tags[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1):99-104. |
| |
| Authors: | Zhao Dixian Yan N Xu Wen Yang Liwu Wang Junyu and Min Hao |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of ASIC & Systems,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & Systems,Fudan University,Shanghai 201203,China;Design Services,Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp., Shanghai 201203,China;Design Services,Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp., Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & Systems,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & Systems,Fudan University,Shanghai 201203,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | RFID single-poly non-volatile memory standard CMOS process sense amplifier low power |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
