| AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟 |
| |
| 引用本文： | 张春福,郝跃,张金凤,龚欣.AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟[J].半导体学报,2005,26(8):1610-1615. |
| |
| 作者姓名： | 张春福 郝跃 张金凤 龚欣 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaN p-I-n光电探测器的物理模型，分析了多种结构AlGaN p-I-n光电探测器的光谱响应，并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/I-Al0.33Ga0.67N/n-GaN倒置异质结结构p-I-n光电探测器(inverted heterostructure photodetectors,IHPs)UV/Solar选择比(280nm与320nm响应度之比)的影响．结果表明：优化p层是提高器件光谱响应的有效途径；为获得较高的UV/Solar选择比，光伏模式(零偏压)为太阳盲区p-GaN/I-Al0.33Ga0.67N/n-GaN IHPs的最佳工作模式；在光伏模式下考虑极化效应影响时，Ga面p-GaN/I-Al0.33Ga0.67N/n-GaN IHPs器件的UV/Solar选择比可达750，与Tarsa等人报道的三个量级的实验结果基本一致．
|
| 关 键 词： | pin光电探测器 光谱响应 太阳盲区 UV/solar选择比 极化效应 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）08-1610-06 |
| 收稿时间： | 2005-01-21 |
| 修稿时间： | 2005-03-22 |
Model and Simulation of GaN Based PIN Photodetectors |
| |
| ZHANG Chunfu,Hao Yue,Zhang Jinfeng,Gong Xin.Model and Simulation of GaN Based PIN Photodetectors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8):1610-1615. |
| |
| Authors: | ZHANG Chunfu Hao Yue Zhang Jinfeng Gong Xin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | p-i-n photodetector spectral responsivity solar-blind UV/solar rejection ratios polarization |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
