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| 离子注入在SiO_2中引入的陷阱中心 | |
| 作者姓名： | 周光能 郑有炓 吴汝麟 |
| 作者单位： | 南京大学物理系(周光能，郑有炓)，南京大学物理系(吴汝麟) |
| 摘 要： | 本文主要研究B~+、P~+、As~+离子注入的MOS结构经高温(>860℃)退火后的氧化层陷阱行为.用所建立的雪崩热电子注入及高频 C-V特性联合测量装置,研究了这类陷阱的荷电状态、有效密度、电子俘获截面及与注入离子的关系;利用陷阱电子解陷的热激电流技术,研究了As~+注入氧化层中陷阱的能级深度. |
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