| 一种基于标准CMOS工艺的新型单片集成紫外图像传感器 |
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| 引用本文： | 李贵柯,冯鹏,吴南健. 一种基于标准CMOS工艺的新型单片集成紫外图像传感器[J]. 半导体学报, 2011, 32(10): 105009-6 |
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| 作者姓名： | 李贵柯 冯鹏 吴南健 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 我们提出了一种基于标准CMOS工艺的浮栅紫外图像传感器。传感器单元是由一个非常紧凑的紫外线灵敏器件构成。整个紫外图像传感器有一CMOS像素单元阵列、高压开关、读出电路和数字控制等部分组成。在一0.18μm标准工艺上实现了1个1616的图像传感器芯片。我们对传感器单元和阵列进行了测试，测试结果表明传感器的灵敏度为0.072 V/(mJ/cm2)，并且可以获得紫外图像。此紫外图像传感器适合于大规模集成的生物医药和太空探测等领域。
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| 关 键 词： | CMOS工艺 图像传感器 紫外线 标准 单片 CMOS逻辑工艺 像素阵列 数字控制电路 |
| 收稿时间： | 2011-03-08 |
| 修稿时间： | 2011-06-01 |
A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process |
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| Li Guike,Feng Peng and Wu Nanjian. A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2011, 32(10): 105009-6 |
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| Authors: | Li Guike Feng Peng Wu Nanjian |
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| Affiliation: | National Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;National Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;National Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UV image sensor standard CMOS process floating gate |
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