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一种基于标准CMOS工艺的新型单片集成紫外图像传感器
引用本文:李贵柯,冯鹏,吴南健. 一种基于标准CMOS工艺的新型单片集成紫外图像传感器[J]. 半导体学报, 2011, 32(10): 105009-6
作者姓名:李贵柯  冯鹏  吴南健
作者单位:中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
摘    要:我们提出了一种基于标准CMOS工艺的浮栅紫外图像传感器。传感器单元是由一个非常紧凑的紫外线灵敏器件构成。整个紫外图像传感器有一CMOS像素单元阵列、高压开关、读出电路和数字控制等部分组成。在一0.18μm标准工艺上实现了1个1616的图像传感器芯片。我们对传感器单元和阵列进行了测试,测试结果表明传感器的灵敏度为0.072 V/(mJ/cm2),并且可以获得紫外图像。此紫外图像传感器适合于大规模集成的生物医药和太空探测等领域。

关 键 词:CMOS工艺  图像传感器  紫外线  标准  单片  CMOS逻辑工艺  像素阵列  数字控制电路
收稿时间:2011-03-08
修稿时间:2011-06-01

A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process
Li Guike,Feng Peng and Wu Nanjian. A novel monolithic ultraviolet image sensor based on a standard CMOS process[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2011, 32(10): 105009-6
Authors:Li Guike  Feng Peng  Wu Nanjian
Affiliation:National Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;National Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;National Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:UV image sensor   standard CMOS process   floating gate
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