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埋空隙PSOI结构的耐压分析
引用本文:段宝兴,张波,李肇基,罗小蓉. 埋空隙PSOI结构的耐压分析[J]. 半导体学报, 2005, 26(9): 1818-1822
作者姓名:段宝兴  张波  李肇基  罗小蓉
作者单位:电子科技大学IC设计中心 成都610054(段宝兴,张波,李肇基),电子科技大学IC设计中心 成都610054(罗小蓉)
摘    要:提出了一种埋空隙PSOI (APSOI) RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布. 在相同击穿电压条件下,此结构较一般PSOI结构只需1/4厚度的埋层,当漂移区厚度和埋层厚度均为2μm时可获得600V以上的击穿电压.

关 键 词:RESURF结构  APSOI  自热效应  表面电场  击穿电压
文章编号:0253-4177(2005)09-1818-05
收稿时间:2005-01-21
修稿时间:2005-03-18

Breakdown Voltage Analysis for Buried Air PSOI Structure
Duan Baoxing, Zhang Bo, Li Zhaoji, Luo Xiaorong (IC design Center, University of Electronic Science. Breakdown Voltage Analysis for Buried Air PSOI Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(9): 1818-1822
Authors:Duan Baoxing   Zhang Bo   Li Zhaoji   Luo Xiaorong (IC design Center   University of Electronic Science
Abstract:
Keywords:RESURF structure  APSOI  self-heating effect  surface electric field  breakdown voltage
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