| 埋空隙PSOI结构的耐压分析 |
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| 引用本文： | 段宝兴,张波,李肇基,罗小蓉. 埋空隙PSOI结构的耐压分析[J]. 半导体学报, 2005, 26(9): 1818-1822 |
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| 作者姓名： | 段宝兴 张波 李肇基 罗小蓉 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心 成都610054(段宝兴，张波，李肇基)，电子科技大学IC设计中心 成都610054(罗小蓉) |
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| 摘 要： | 提出了一种埋空隙PSOI (APSOI) RESURF器件结构，此结构利用空隙相对低的介电系数，在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系，提高了击穿电压；硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应；不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布. 在相同击穿电压条件下，此结构较一般PSOI结构只需1/4厚度的埋层，当漂移区厚度和埋层厚度均为2μm时可获得600V以上的击穿电压.
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| 关 键 词： | RESURF结构 APSOI 自热效应 表面电场 击穿电压 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）09-1818-05 |
| 收稿时间： | 2005-01-21 |
| 修稿时间： | 2005-03-18 |
Breakdown Voltage Analysis for Buried Air PSOI Structure |
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| Duan Baoxing, Zhang Bo, Li Zhaoji, Luo Xiaorong (IC design Center, University of Electronic Science. Breakdown Voltage Analysis for Buried Air PSOI Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(9): 1818-1822 |
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| Authors: | Duan Baoxing Zhang Bo Li Zhaoji Luo Xiaorong (IC design Center University of Electronic Science |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RESURF structure APSOI self-heating effect surface electric field breakdown voltage |
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