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| 分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究 | |
| 引用本文： | 于梅芳,杨建荣,王善力,陈新强,乔怡敏,巫艳,何力,韩培德.分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究[J].半导体学报,1999,20(5):378-382. |
| 作者姓名： | 于梅芳 杨建荣 王善力 陈新强 乔怡敏 巫艳 何力 韩培德 |
| 作者单位： | [1]半导体薄膜材料研究中心及约外物理国家重点实验室 [2]中国科学院北京电子显微镜实验室 |
| 摘 要： | 本文报道在晶格失配ＧａＡｓ衬底上分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度研究结果．用位错腐蚀坑密度（ＥＰＤ）、Ｘ射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法，对ＣｄＴｅ缓冲层以及ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的相关关系进行了评价、分析．研究发现退火可以有效地降低ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度． |
| 关 键 词： | 分子束外延 位错 HgCdTe薄膜 密度 |
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