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| 硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合 | |
| 引用本文： | 季振国,汪雷,袁骏.硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合[J].半导体学报,1994,15(1):23-28. |
| 作者姓名： | 季振国 汪雷 袁骏 |
| 作者单位： | 浙江大学分析测试中心，高纯硅及硅烷国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现． |
| 关 键 词： | 硅 氧化膜 X光电谱 参数 曲线拟合 |
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