| 肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气 |
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| 引用本文： | 周玉刚,沈波,刘杰,俞慧强,周慧梅,钱悦,张荣,施毅,郑有炓.肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气[J].半导体学报,2001,22(11):1420-1424. |
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| 作者姓名： | 周玉刚 沈波 刘杰 俞慧强 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683; |
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| 摘 要： | 通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 -
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| 关 键 词： | AlxGa1-xN/GaN异质结 肖特基接触 二维电子气 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)11-1420-05 |
| 修稿时间： | 2001年1月16日 |
Investigation on Two-Dimensional Electron Gas in AIxGa1-xN/GaN Heterostructures by Using Schottky C-V Measurement |
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| ZHOU Yu gang,SHEN Bo,LIU Jie,YU Hui qiang,ZHOU Hui mei,QIAN Yue,ZHANG Rong,SHI Yi and ZHENG You dou.Investigation on Two-Dimensional Electron Gas in AIxGa1-xN/GaN Heterostructures by Using Schottky C-V Measurement[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(11):1420-1424. |
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| Authors: | ZHOU Yu gang SHEN Bo LIU Jie YU Hui qiang ZHOU Hui mei QIAN Yue ZHANG Rong SHI Yi and ZHENG You dou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al xGa 1-x N/GaN heterostructure Schottky contacts two dimensional electron gas |
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