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| In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 | |
| 引用本文： | 范卫军,夏建白.In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构[J].半导体学报,1992,13(3):133-142. |
| 作者姓名： | 范卫军 夏建白 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083 (范卫军)，中国科学院半导体研究所 北京100083(夏建白) |
| 摘 要： | 用有效质量理论研究了001]和111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对001]方向生长的应变超晶格不产生内电场. |
| 关 键 词： | ZnGaAs／GaAs 超晶格 电子结构 |
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