| AlGaN中的应变状态 |
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| 引用本文： | 张纪才,王建峰,王玉田,杨辉.AlGaN中的应变状态[J].半导体学报,2005,26(z1):1-4. |
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| 作者姓名： | 张纪才 王建峰 王玉田 杨辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083;武汉大学物理系,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家自然科学基金委员会-香港研究资助局联合科研项目
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香港研究资助局资助项目 |
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| 摘 要： | 用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlxGa1-xN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30%,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接近0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的AlxGa1-xN外延层可以共格生长在GaN层上.
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| 关 键 词： | 三轴晶X射线衍射 AlGaN 共格因子 应变 卢瑟福背散射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0001-04 |
| 修稿时间： | 2004年11月8日 |
Strain State of AlGaN |
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| Zhang Jicai,Wang Jianfeng,Wang Yutian,Yang Hui.Strain State of AlGaN[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):1-4. |
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| Authors: | Zhang Jicai Wang Jianfeng Wang Yutian Yang Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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