首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

生长温度对于Ge衬底上分子束外延生长的InGaAs/GaAs量子阱结构质量的影响
引用本文:贺继方,尚向军,李密锋,朱岩,常秀英,倪海桥,徐应强,牛智川. 生长温度对于Ge衬底上分子束外延生长的InGaAs/GaAs量子阱结构质量的影响[J]. 半导体学报, 2011, 32(4): 043004-5
作者姓名:贺继方  尚向军  李密锋  朱岩  常秀英  倪海桥  徐应强  牛智川
作者单位:中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
基金项目:国家自然科学基金(60625405);国家重点基础研究发展计划(2007CB936304和2010CB327601)
摘    要:本文研究了斜切割(100)Ge衬底上InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的分子束外延生长(In组分为0.17或者0.3)。所生长的样品用原子力显微镜、光致发光光谱和高分辨率透射电子显微镜进行了测量和表征。结果发现,为了生长没有反相畴的GaAs缓冲层,必须对Ge衬底进行高温退火。在GaAs外延层和InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的生长过程中,生长温度是一个至关重要的参数。文中讨论了温度对于外延材料质量的影响机理。通过优化生长温度,Ge衬底上的InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的光致发光谱具有很高的强度、很窄的线宽,样品的表面光滑平整。这些研究表面Ge 衬底上的III-V族化合物半导体材料有很大的器件应用前景。

关 键 词:砷化镓量子阱  量子阱结构  生长温度  分子束外延  量子质量  砷化铟镓  衬底  高分辨透射电子显微镜
收稿时间:2010-09-25

Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge substrate by molecular beam epitaxy
He Jifang,Shang Xiangjun,Li Mifeng,Zhu Yan,Chang Xiuying,Ni Haiqiao,Xu Yingqiang and Niu Zhichuan. Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge substrate by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2011, 32(4): 043004-5
Authors:He Jifang  Shang Xiangjun  Li Mifeng  Zhu Yan  Chang Xiuying  Ni Haiqiao  Xu Yingqiang  Niu Zhichuan
Affiliation:State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:Ge substrate  InGaAs/GaAs quantum well  molecular beam epitaxy
本文献已被 维普 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号