| 熔体外延法生长截止波长8～12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱 |
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| 引用本文： | 高玉竹,龚秀英,山口十六夫.熔体外延法生长截止波长8～12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱[J].半导体学报,2007,28(Z1):115-118. |
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| 作者姓名： | 高玉竹 龚秀英 山口十六夫 |
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| 作者单位： | 高玉竹（同济大学电子与信息工程学院,上海,200092）;龚秀英（同济大学电子与信息工程学院,上海,200092）;山口十六夫（静冈大学电子工学研究所,滨松,432-8011,日本） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60644005) |
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| 摘 要： | 用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8～12mm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了InSb单晶和3种不同组分InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品截止波长与计算得到的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄现象,并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构.
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| 关 键 词： | 熔体外延 截止波长 透射光谱 微观分布 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0115-04 |
| 修稿时间： | 2006年12月29 |
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