| 分子束外延生长高应变单量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 潘钟,李联合,徐应强,杜云,林耀望.分子束外延生长高应变单量子阱激光器[J].半导体学报,2001,22(9):1097-1101. |
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| 作者姓名： | 潘钟 李联合 徐应强 杜云 林耀望 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所集成电子国家重点实验室，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所集成电子国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G2000036603; |
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| 摘 要： | 采用分子束外延方法研究了高应变 In Ga As/Ga As量子阱的生长技术 .将 In Ga As/Ga As量子阱的室温光致发光波长拓展至 116 0 nm,其光致发光峰半峰宽只有 2 2 me V.研制出 112 0 nm室温连续工作的 In Ga As/Ga As单量子阱激光器 .对于 10 0 μm条宽和 80 0 μm腔长的激光器 ,最大线性输出功率达到 2 0 0 m W,斜率效率达到 0 .84m W/m A,最低阈值电流密度为 45 0 A/cm2 ,特征温度达到 90 K.
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| 关 键 词： | InGaAs 分子束外延 高应变 量子阱激光器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1097-05 |
| 修稿时间： | 2001年3月9日 |
Highly-Strained InGaAs/GaAs Single-Quantum-Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy |
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| PAN Zhong,LI Lianhe,Xu Yingqiang,DU Yun,LIN Yaowang.Highly-Strained InGaAs/GaAs Single-Quantum-Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(9):1097-1101. |
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| Authors: | PAN Zhong LI Lianhe Xu Yingqiang DU Yun LIN Yaowang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs molecular beam epitaxy high strain quantum well laser |
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