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9μm Cutoff 128×128 AlGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetector Focal Plane Arrays
作者姓名:Li Xianjie  Liu Yingbin  Feng Zhen  Guo Fan  Zhao Yonglin  Zhao Run  Zhou Rui  Lou Chen  Zhang Shizu
作者单位:河北半导体研究所,石家庄 050051;河北半导体研究所,石家庄 050052;河北半导体研究所,石家庄 050053;河北半导体研究所,石家庄 050054;河北半导体研究所,石家庄 050055;河北半导体研究所,石家庄 050056;河北半导体研究所,石家庄 050057;河北半导体研究所,石家庄 050058;河北半导体研究所,石家庄 050059
基金项目:其它:电子支撑项目基金
摘    要:报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作. 采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作. 为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5E-3A/cm2; 80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB为3.95E8 (cm·Hz1/2) /W. 将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.

关 键 词:AlGaAs/GaAs  量子阱红外探测器  红外热成像
文章编号:0253-4177(2006)08-1355-05
收稿时间:2/5/2006 10:05:59 PM
修稿时间:5/9/2006 1:05:05 PM
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