| 硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响 |
| |
| 引用本文： | 周星飞,施斌,蒋伟荣,胡冬枝,樊永良,龚大卫,张翔九,蒋最敏.硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响[J].半导体学报,2000,21(8):765-769. |
| |
| 作者姓名： | 周星飞 施斌 蒋伟荣 胡冬枝 樊永良 龚大卫 张翔九 蒋最敏 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海200433，复旦大学应用表面物理国家 |
| |
| 基金项目： | *国家自然科学基金资助项目(69776010)，教育部优秀年轻教师基金资助和八六三计划新材料领域资助[ProjectSupported
by National Natural Scienee Foundation of China Under Grant No．69776010，Outstanding
Young TeacherFoundation of Education Ministry and New Material Area of 863 Plan]. |
| |
| 摘 要： | 研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .
|
| 关 键 词： | 量子点 Ge 生长 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)08-0765-05 |
| 修稿时间： | 1999-07-08 |
Influence of Boron Atom on Growth of Ge Quantum Dots on Si(100) |
| |
| ZHOU Xing\|fei,SHI Bin,JIANG Wei\|rong,HU Dong\|zhi,FAN Yong\|liang,GONG Da\|wei,ZHANG Xiang\|jiu and JIANG Zui\|min.Influence of Boron Atom on Growth of Ge Quantum Dots on Si(100)[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(8):765-769. |
| |
| Authors: | ZHOU Xing\|fei SHI Bin JIANG Wei\|rong HU Dong\|zhi FAN Yong\|liang GONG Da\|wei ZHANG Xiang\|jiu and JIANG Zui\|min |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | quantum dots Ge growth |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
