| 用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究 |
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| 引用本文： | 施卫,贾婉丽.用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究[J].半导体学报,2003,24(10):1016-1020. |
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| 作者姓名： | 施卫 贾婉丽 |
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| 作者单位： | 西安理工大学应用物理系，西安710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;50077017; |
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| 摘 要： | 用15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明,当光电导开关处于3 33～10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度2 0 0fs且单脉冲能量0 2nJ的激光脉冲照射时,开关表现为线性工作模式,开关输出峰值电压为0 8mV .分析表明,开关对波长为15 5 3nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用.
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| 关 键 词： | 半绝缘GaAs 光电导开关 EL2深能级 |
Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse |
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| Shi Wei,Jia Wanli.Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(10):1016-1020. |
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| Authors: | Shi Wei Jia Wanli |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semi-insulating GaAs photoconductive switch EL2 deep level |
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