| 与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计 |
| |
| 引用本文： | 毛陆虹,陈弘达,吴荣汉,唐君,梁琨,粘华,郭维廉,李树荣,吴霞宛.与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计[J].半导体学报,2002,23(2):193-197. |
| |
| 作者姓名： | 毛陆虹 陈弘达 吴荣汉 唐君 梁琨 粘华 郭维廉 李树荣 吴霞宛 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;2. 天津大学电子与信息工程学院,天津,300072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;69836020,69896020; |
| |
| 摘 要： | 用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.
|
| 关 键 词： | 光电探测器 器件模拟 CMOS工艺 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)02-0193-05 |
| 修稿时间： | 2001年6月28日 |
Simulation and Design of a CMOS-Process-Compatible High-Speed Si-Photodetector |
| |
| Mao Luhong ,Chen Hongda ,Wu Ronghan ,Tang Jun ,Liang Kun ,Nian Hua ,Guo Weilian ,Li Shurong and Wu Xiawan.Simulation and Design of a CMOS-Process-Compatible High-Speed Si-Photodetector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(2):193-197. |
| |
| Authors: | Mao Luhong Chen Hongda Wu Ronghan Tang Jun Liang Kun Nian Hua Guo Weilian Li Shurong and Wu Xiawan |
| |
| Affiliation: | Mao Luhong 1,Chen Hongda 1,Wu Ronghan 1,Tang Jun 1,Liang Kun 1,Nian Hua 2,Guo Weilian 2,Li Shurong 2 and Wu Xiawan 2 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | photodetector device simulation CMOS process |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
