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| 中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰 | |
| 引用本文： | 祁明维,施天生,白国仁,谢雷鸣,蔡培新,高集金,李石岭.中子辐照硅单晶中一组新的红外吸收峰[J].半导体学报,1986,7(3):334-336. |
| 作者姓名： | 祁明维 施天生 白国仁 谢雷鸣 蔡培新 高集金 李石岭 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (祁明维，施天生，白国仁，谢雷鸣，蔡培新)，中国科学院原子能研究所 (高集金)，中国科学院原子能研究所(李石岭) |
| 摘 要： | N型中子辐照区熔硅单晶中,在与双空位(V_2~-)有关的2770cm~(-1)吸收峰的低频侧发现一组文献中从未报道过的新的吸收峰.对这组吸收峰的性质及其退火行为进行了研究. |
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