|
|||||
|
|
| 用光谱法研究砷离子注入硅的退火 | |
| 引用本文： | 林树汉,莫党.用光谱法研究砷离子注入硅的退火[J].半导体学报,1982,3(5):410-412. |
| 作者姓名： | 林树汉 莫党 |
| 作者单位： | 中山大学物理系 (林树汉)，中山大学物理系(莫党) |
| 摘 要： | <正> 近年来,有一些工作研究用椭偏光法测定离子注入硅.这些都是在单一波长下进行测量的.但是,离子注入损伤只在样品表面一薄层内,即使均匀光吸收介质层(相当于高注入剂量情况),也有折射率n、消光系数k和层厚d待求.莫党等近来发展了一种测定离子注入硅的椭偏光谱法,测定各波长的椭偏参数,然后用分区法对均匀吸收介质层模型进行计算,不必用剖层法配合,可求出d和光学常数的色散关系.在此基础上 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |