| 基于硅桥结构的MEMS磁场传感器 |
| |
| 引用本文： | 杜广涛,陈向东,林其斌,李辉,郭辉辉.基于硅桥结构的MEMS磁场传感器[J].半导体学报,2010,31(10):104011-6. |
| |
| 作者姓名： | 杜广涛 陈向东 林其斌 李辉 郭辉辉 |
| |
| 摘 要： | 提出了一种基于硅桥结构的MEMS磁场传感器结构。其结构由制作在硅桥敏感膜表面的惠斯通电桥和在膜中间沾上铁磁体制成。当传感器处于磁场中时，铁磁体在外磁场中磁化产生磁力，磁力会使硅敏感膜弯曲从而引起压阻改变进而使惠斯通电桥产生电压输出以达到测量磁场的目的。文章通过有限元软件仿真对铁磁体的尺寸进行了优化。实验结果和理论结果较接近。实验测得该传感器最大灵敏度为48mV/T，分辨率为160μT，该传感器可以用来进行强磁场的测量。实验结果结果表明:传感器的重复性和动态响应时间分别约为0.66%和150ms。
|
| 关 键 词： | 磁场传感器 硅压阻式 MEMS 桥结构 惠斯登电桥 高灵敏度 磁场测量 最小分辨率 |
| 收稿时间： | 3/19/2010 2:09:58 PM |
| 修稿时间： | 5/20/2010 3:42:07 PM |
MEMS magnetic field sensor based on silicon bridge structure |
| |
| Du Guangtao,Chen Xiangdong,Lin Qibin,Li Hui and Guo Huihui.MEMS magnetic field sensor based on silicon bridge structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2010,31(10):104011-6. |
| |
| Authors: | Du Guangtao Chen Xiangdong Lin Qibin Li Hui and Guo Huihui |
| |
| Affiliation: | School of Information Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China;School of Information Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China;School of Information Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China;School of Information Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China;School of Information Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | silicon bridge magnetic field sensor ferromagnetic magnet ANSYS simulation magnetic pressure MEMS |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
